THB双85（偏压）温湿度偏置试验 发布时间：2026-10-28
一、业务简介
THB（Temperature Humidity Bias，温湿度偏置试验，行业俗称双85偏压测试），是常压稳态高温高湿+持续直流偏压的经典可靠性鉴定试验，不施加高压，属于基准级长周期带电湿热验证，也是车规、通信、工业器件最主流的正式认证项目。
区别于B-HAST高压加速模式，THB在常压环境下85℃/85%RH稳态运行，应力温和、失效机理和终端现场失效一致性最高，是产品定型、客户准入、体系审核的黄金基准试验；B-HAST更多用于前期快速摸底筛选，THB用于最终正式鉴定。
核心特点：常压、稳态、不结露、全程直流偏压、在线监测绝缘电阻/漏电流，加速倍率低，结果认可度最高。
二、测试项目介绍
| 项目 | 内容 |
| 测试名称 | THB温湿度偏置试验（双85偏压） |
| 执行标准 | JESD22-A101（半导体）、IPC-TM-650 2.6.3（PCB/SIR/CAF）、IEC 60068-2-1、AEC-Q100（车规芯片） |
| 典型条件 | 85℃/85%RH，常压，直流偏压（按器件额定电压） |
| 标准时长 | 1000h（最常用）；可选500h、2000h、3000h |
| 是否加电 | 全程施加直流偏压，在线监测绝缘电阻、漏电流 |
测试原理
样品放置于常压恒温恒湿箱内，维持85℃、85%RH稳态环境，对测试网络持续施加直流偏置电压：
1. 水汽缓慢渗透进入塑封界面、树脂 玻纤界面、阻焊层、金属化表面，形成薄水膜；
2. 板材、助焊剂残留带来的离子污染物（Cl⁻、Na⁺等）溶解在水膜中，在电场驱动下发生电化学迁移；
3. 缓慢诱发绝缘电阻下降、漏电流上升、铜/铝金属腐蚀、CAF导电阳极丝生长、枝晶短路；
4. 设备持续记录各通道绝缘电阻曲线，模拟产品长期在潮湿通电工况下的老化劣化规律。
机理和B-HAST一致，但无高压、温度更低、水汽渗透速率平缓，失效模式更贴近终端现场，所以作为正式鉴定依据。
判定标准
| 判定项 | 合格要求 |
| 绝缘电阻 | 试验全程绝缘电阻稳定高于客户阈值（常规≥10⁸Ω），无断崖式跌落 |
| 漏电流 | 漏电流无持续异常爬升、无突发性短路 |
| 外观 | 无封装分层、起泡、腐蚀、引脚变色、阻焊剥离 |
| 电性能 | 试验结束后功能/参数复测满足规格书要求 |
| 失效确认 | 电阻跌落失效后，可配套金相切片、SEM EDS确认CAF枝晶、腐蚀通道 |
常用实验条件
| 条件编号 | 温度 | 湿度 | 偏压 | 时长 | 典型用途 |
| THB-1 | 85°C | ||||
| THB-2 | 85°C | ||||
| THB-3 | |||||
| MSL预处理+THB | |||||
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