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LED封装灯具及半导体化合物
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LED静电击穿点观察 发布时间:2014-07-15

LED芯片漏电可能是芯片工艺不规范,或者金属层氧化腐蚀,也有可能静电击穿。大的静电击穿点可以肉眼或者光学显微镜观察,小的静电击穿点必须通过扫描电镜观测鉴定。金鉴检测提供LED静电击穿点鉴定观察服务,作为第三方帮助LED产业用户鉴定事故责任方。


由于环境中存在不同程度的静电,通过静电感应或直接转移等形式LED芯片的PN结两端会积聚一定数量极性相反的静电电荷,形成不同程度的静电电压。当静电电压超过LED的最大承受值时,静电电荷将以极短的时间(纳秒)在LED芯片的两个电极间放电,从而产生热量。在LED芯片内部的导电层、PN结发光层形成1400℃以上的高温,高温导致局部熔融成小孔,从而造成LED漏电、变暗、死灯,短路等现象。


LED抗静电能力测试

扫描电镜下的LED静电击穿点(放大倍数:1.3万倍)


静电对LED反向放电时,电流比正向放电更加集中,功率密度更加大,因此LED反向放电ESD失效阈值比正向低得多,也就是LED反向承受静电的电压要低得多,因此对LED的抗静电评估对其反向抗静电能力评估是最合理的。


静电损伤是LED第一失效原因,选用高质量,抗静电能力强的芯片和灯珠能帮您规避此类失效原因,具体的第三方抗静电能力测试服务可见链接http://www.gmatg.com/caseDetail-130.html





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