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弹坑试验 发布时间:2023-12-11 09:03:52

服务简介

在半导体封装工艺中,弹坑试验是用来评估键合参数以及键合可靠性的。键合工艺使用的材料一般是金线,铜线或铝线,其中铝线一般是在大功率的产品中使用,铜线在解决了可靠性的问题之后应用也越来越多。弹坑试验数据能够指导工艺工程等部门进行工艺设计改进,优化。

  

弹坑试验的目的如下

1. 为了观察芯片焊盘在与键合球结合后有无出现损伤(生产引起)。

2. 为了观察如ESD(静电放电)这样的EOS(过电应力)有没有引起芯片焊盘损伤(应用引起)。

 

弹坑试验实验

弹坑检测实验的⽬的是为了观察芯⽚焊盘在与键合球结合后,有⽆出现损伤。观察前,需要移⾛键合球且不能使芯⽚收到影响,常⽤的⼿法均使⽤⼀定浓度的强酸或强碱。


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检验标准

硅层上有明显可见的凹坑,⽤⼩⼑在焊球周围轻划触感有明显的凹坑为严重缺陷不合格;铝层上有轻微的坑印,⽤⼩⼑在焊球周围轻划接触⽆明显的凹坑为轻微缺陷,合格;硅层表⾯光滑⽆坑印,合格。


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