FIB在半导体分析测试中的应用 发布时间：2025-07-24
FIB介绍
聚焦离子束（FIB）技术作为一种高精度的微观加工和分析工具，在半导体失效分析与微纳加工领域，双束聚焦离子束（FIB）因其“稳、准、狠、短、平、快”的技术特征，被业内誉为“微创手术刀”。它通过聚焦离子束直接在材料上进行操作，无需掩模，能够实现纳米级精度的成像和修改，特别适合需要高精度的任务。金鉴实验室作为专注于半导体失效分析的科研检测机构，能够对半导体进行严格的检测，致力于为客户提供高质量的测试服务，为半导体失效分析与微纳加工在各个领域的可靠应用提供坚实的质量保障。
截面量测
以镓离子源为核心，FIB 技术通过精确调控离子束与样品表面的相互作用，实现纳米级的精细操作。金鉴实验室拥有专业的FIB测试设备和技术团队，能够确保技术原理测试的准确性和可靠性，如需进行专业的检测，可联系金鉴检测顾问188-1409-6302。
缺陷分析
案例1：金鉴实验室针对膜层内部缺陷通过FIB精细加工至缺陷根源处，同时结合前段生产工艺找出缺陷产生点，通过调整工艺解决产品缺陷。
案例2：产品工艺异常或调整后金鉴通过FIB获取膜层剖面对各膜层检查以及厚度的测量检测工艺稳定性。金鉴实验室在进行试验时，严格遵循相关标准操作，确保每一个测试环节都精准无误地符合标准要求。
TEM制样
透射电子显微镜（TEM）是研究材料微观结构的重要手段，但需要制备超薄样品。FIB 技术能够精确地将样品减薄到纳米级厚度，同时保持样品的结构完整性，为 TEM 分析提供高质量的样品。通过 FIB 制备的样品可以清晰地观察到材料的晶体结构、界面特征和缺陷分布等信息。金鉴实验室配备专业的设备，为材料的深入研究提供了强有力的支持。
1.FIB粗加工
2.纳米手转移
3.FIB精细加工完成制样
气相沉积（GIS）
FIB GIS系统搭载Pt气体，其作用除了对样品表面起到保护作用，还能根据其导电特性对样品进行加工。FIB加工前为材料提供保护层，或用于材料精加工。
纳米材料电阻无法直接进行测量，通过FIB GIS系统对其沉积Pt，将其连接到电极上进行四探针法测电阻。
结语
聚焦离子束（FIB）技术作为一种高精度的微观加工和分析工具，在半导体量产中具有广泛的应用前景。它能够实现纳米级精度的成像和修改，特别适合缺陷分析、电路修改、光掩模修复、TEM 样品制备和故障分析等任务。金鉴实验室的专业服务不仅限于测试和认证，还包括失效分析、技术咨询和人才培养，为客户提供一站式的解决方案，金鉴将继续秉承着专业的服务态度，不断提升自身的技术水平和服务质量，为半导体行业贡献我们的力量。
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